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Mélusine Et Les Yaourts De La Mort
Friday, 30 August 2024

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Pour tenir en compte les limitations de la cellule et de même calculer le courant réellement délivré sur la charge du circuit extérieur, on introduit un modèle comprenant une résistance série et une résistance parallèle [42]. Ce modèle est représenté par le schéma électrique suivant (Figure II-8): Figure II-8: Schéma équivalent d'une cellule photovoltaïque [33]. Les différents paramètres de ce modèle sont [37]: a. Le générateur de courant: il délivre le courant I ph correspondant au courant photogénéré. b. La résistance série R s: elle prend en compte la résistivité propre aux contacts entre les différentes régions constitutives de la cellule, et doit être la plus faible que possible pour limiter son influence sur le courant de la cellule. c. Schéma équivalent cellule photovoltaique et. La résistance parallèle R p: connue sous le nom de court circuit, elle peut être due à un court circuit sur les bords de la cellule. On l'appelle aussi résistance de fuite. d. La diode: modélise la diffusion des porteurs dans la base de l'émetteur.

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Idéalement, on peut négliger R s et I devant U, puis travailler avec un modèle simplifié: Comme la résistance shunt est beaucoup plus élevée que la résistance série, on peut encore négliger le courant dévié dans R sh. On obtient: Le schéma équivalent de la figure 2 correspondant est celui de la cellule idéale: Figure 2: schéma équivalent simplifié

Lorsqu'ils frappent un élément semi-conducteur Un semi-conducteur est un matériau dont la capacité à conduire l'électricité (la conductivité), initialement faible, peut augmenter en fonction de certains facteurs... comme le silicium Les cristaux de silicium sont issus de la silice, principal composant du sable et du quartz. Le silicium est un matériau semi-conducteur., ils arrachent des électrons à ses atomes L'atome est le constituant fondamental de la matière, la plus petite unité indivisible d'un élément chimique.... Ces électrons se mettent en mouvement, de façon désordonnée, à la recherche d'autres « trous » où se repositionner. Mais pour qu'il y ait un courant électrique, il faut que ces mouvements d'électrons aillent tous dans le même sens. La résistance shunt. Pour les y aider, on va associer deux types de silicium. La face exposée au soleil est « dopée » avec des atomes de phosphore qui comportent plus d'électrons que le silicium, l'autre face est dopée avec des atomes de bore Le bore est un élément chimique (symbole B) de type métalloïde et semi-conducteur... qui comportent moins d'électrons.

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C'est la raison pour laquelle le rendement réalisé pour les premières cellules solaires était seulement de l'ordre de 10%. Ce problème a été résolu partiellement grâce à la croissance d'une couche de Al x Ga 1-x As sur la surface du GaAs. Les deux matériaux ayant des paramètres cristallins voisins, peu de défauts et de centres de recombinaison pouvant exister à l'interface entre les deux semi-conducteurs. C'est ainsi que le rendement des cellules au GaAs a dépassé la première fois 20% [45]. La cellule supérieure étant une hétérostructure Al x Ga 1-x As/GaAs. L'état graduel de la bande interdite de la couche AlGaAs résulte en un champ interne qui réduit les pertes par recombinaison à la surface et en volume [46]. Il a été découvert que l'interface AlGaAs/GaAs est caractérisée par une faible densité de défauts étendus en raison des mêmes paramètres de réseau à la température de croissance des couches épitaxiales. Cellule photovoltaïque – Principe de fonctionnement | Planète Énergies. Celle-ci a fournie dans les cellules solaires basées sur des structures AlGaAs/GaAs une faible vitesse de recombinaison surfacique (S) et deux côtés porteurs de collecte avec un rendement élevé η = 25-27%.

7): 𝐼 = 𝐼 𝑠 |𝑒𝑥𝑝 [𝑞 𝑉−𝑅 𝑠𝐼 𝑛𝐾𝑇] − 1| (I. 7) I. Courant de saturation I s I s est le courant de saturation ou de fuite circulant dans la jonction quelque soit le type de polarisation. Il est dû au phénomène de diffusion des porteurs minoritaires vers les régions neutres (les trous vers la région de type p et les électrons vers la région de type n) et au phénomène de génération de porteurs libres dans la zone de charge d'espace. I. Facteur d'idéalité n n est le facteur d'idéalité ou de qualité qui dépend de la tension de polarisation, il nous renseigne sur l'origine des courants circulant dans la jonction. Il prend la valeur 1 s'ils'agit d'un mécanisme de diffusion. Pour le mécanisme de recombinaison il prend la valeur 2. Lorsque les deux courants sont comparables, le facteur n a une valeur comprise entre 1 et 2. Schéma équivalent cellule photovoltaique sur. S'il prend d'autres valeurs, cela signifie que d'autres mécanismes interviennent pour le transport du courant. I. Resistance série R s R s est la résistance série, c'est un paramètre d'intérêt majeur, plus sa valeur est grande, plus la diode s'éloigne du modèle idéal.

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L'écart par rapport au cas idéal provient des résistances aux contacts, de la faible mobilité des porteurs de charges au sein du semi-conducteur, ou encore aux courants de fuite dans la cellule. I. 4. Le rendement, η Le rendement, η des cellules PV désigne le rendement de conversion en puissance. Il est défini comme étant le rapport entre la puissance maximale délivrée par la cellule et la puissance lumineuse incidente, P in Vco I ph Régime linéaire 18 𝜂 = 𝑃 𝑚𝑎𝑥 𝑃 𝑖𝑛 = 𝐹𝐹 × 𝐼 𝑠𝑐 × 𝑉 𝑜𝑐 𝑃 𝑖𝑛 Ce rendement peut être amélioré en augmentant le facteur de forme, le courant de court-circuit et la tension à circuit ouvert. Le rendement de conversion est un paramètre essentiel. En effet, la seule connaissance de sa valeur permet d'évaluer les performances de la cellule. I. Paramètre de diode La cellule solaire est une diode ayant une surface large, polarisée par un photocourant I ph issu des photons incidents (éclairement de la cellule). Schéma équivalent cellule photovoltaique du. La relation entre le courant et la tension de polarisation dans les diodes à jonction p-n, est donné par l'équation (I.

Elle est due à la résistance des régions neutres du matériau semi-conducteur et aux prises de contacts ohmiques métal semi-conducteur qui peuvent être réduites en surdopant la région superficielle du semi-conducteur là où on veut établir le contact ohmique. 19