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+ Lire la suite Commenter J'apprécie 10 0 L'agent spécial du FBI Smoky Barrett est, depuis douze ans, à la tête d'une petite équipe d'enquêteurs traquant les tueurs en série et basée à Los Angeles. Elle rentre juste de quelques jours de vacances à Hawaï en compagnie de Tommy, un ancien des Services Secrets, avec qui elle partage sa vie depuis quelques années pour assister au mariage de Callie, qui travaille avec elle. Mais à la fin de la cérémonie, une femme amaigrie, au crâne rasé, terrorisée et incapable de parler, est jetée d'une voiture devant les invités médusés. Il s'agit d'une inspectrice de police qui avait été portée disparue il y a plus de sept ans. Cela ressemble à une provocation, surtout que le responsable des tortures subies a adressé un message à Smoky peu de temps avant de relâcher sa proie … Quand j'ai entamé la lecture de ce livre, j'ignorais que l'auteur en avait déjà écrit plusieurs (trois en fait) avec le personnage de Smoky Barrett. Chuchoteur de replique code.google. Il semble que chaque titre concerne une nouvelle enquête menée par Smoky, une nouvelle traque de tueurs en série donc ce n'est pas trop grave si on ne les lit pas dans l'ordre (seule la vie personnelle de l'enquêtrice sert de fil conducteur entre les livres et donc risque d'être un peu mélangée si on les lit dans le désordre).
C'est la raison pour laquelle le rendement réalisé pour les premières cellules solaires était seulement de l'ordre de 10%. Ce problème a été résolu partiellement grâce à la croissance d'une couche de Al x Ga 1-x As sur la surface du GaAs. Les deux matériaux ayant des paramètres cristallins voisins, peu de défauts et de centres de recombinaison pouvant exister à l'interface entre les deux semi-conducteurs. C'est ainsi que le rendement des cellules au GaAs a dépassé la première fois 20% [45]. Schéma équivalent cellule photovoltaique avec. La cellule supérieure étant une hétérostructure Al x Ga 1-x As/GaAs. L'état graduel de la bande interdite de la couche AlGaAs résulte en un champ interne qui réduit les pertes par recombinaison à la surface et en volume [46]. Il a été découvert que l'interface AlGaAs/GaAs est caractérisée par une faible densité de défauts étendus en raison des mêmes paramètres de réseau à la température de croissance des couches épitaxiales. Celle-ci a fournie dans les cellules solaires basées sur des structures AlGaAs/GaAs une faible vitesse de recombinaison surfacique (S) et deux côtés porteurs de collecte avec un rendement élevé η = 25-27%.
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L'équation du courant devient: I 01: courant de saturation de la diode D1, I 02: courant de saturation de la diode D2, q: charge élémentaire, k: constante de Boltzmann, T: température, n 1 et n 2: coefficients d'idéalité des diodes D1 et D2. Pour une cellule photovoltaïque idéale, l'équation (II-13) peut être réécrite plus ph i s I kT n I qV V I exp 1 (II-13) La mesure de la caractéristique courant – tension (I-V) à l'obscurité est également utile pour analyser le fonctionnement d'une cellule solaire, cette caractéristique à l'obscurité est identique à celle d'une diode. La caractéristique (I-V) d'une cellule solaire sous éclairement ou à l'obscurité est présentée dans la figure II-9. Figure II-9: Caractéristique (I-V) d'une cellule solaire [33] Les grandeurs caractéristiques de la cellule peuvent être extraites depuis ce graphe: * Le courant de court circuit I sc. * La tension de circuit ouvert V oc. Chapitre 5: Capteurs solaires photovoltaïques: . Caractéristiques électriques d'une cellule photovoltaïque. * Le courant I max et la tension V max tels que le produit des deux soit maximal déterminant ainsi la puissance maximale ou utile fournie par la cellule (figures II-9, II-10).
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Figure II-13: Caractéristique I-V mesurée pour une cellule solaire AlGaAs / GaAs[47] II. 4 Conclusion: Dans ce chapitre, nous avons présenté les principaux concepts et relations liés à l'étude des caractéristiques électriques des cellules solaires. Schéma équivalent et caractéristique courant-tension de la cellule solaire:. A la fin nous avons concentré sur la spécificité des cellules solaires à hétérojonction AlGaAs/GaAs par rapport aux cellules solaires conventionnelles (homojonctions); notamment dans le rendement de conversion élevé, la faible dégradation face aux irradiations spatiales et la réduction des recombinaisons au niveau de l'interface AlGaAs/GaAs. III. 1 Introduction: Dans ce travail nous allons étudier les caractéristiques électriques de la cellule solaire à hétérojonction (AlGaAs / GaAs) de structure p+pn et n+np où la couche (AlGaAs) fortement dopée est utilisée comme une couche fenêtre, suivie des couches émetteur et base en (GaAs). Nous considérons les deux cas où la structure est avec un substrat épais en (GaAs) et sans substrat. L'étude est réalisée par l'application du logiciel de simulation numérique sophistiqué SILVACO-ATLAS.
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6) Deux régimes peuvent être observés suivant le degré d'éclairement (Figure I. 7). Régime des faibles flux lumineux: dans ce cas, I ph << I s, ce qui permet d'écrire: 𝐿𝑜𝑔 [1 + 𝐼 𝑝ℎ 𝐼 𝑠] ≃ 𝐼 𝑝ℎ 𝐼 𝑠, d'où 𝑉 𝑐𝑜 ≃ 𝐾𝑇 𝑞 𝐼𝑝ℎ 𝐼 𝑠: c'est la zone de comportement linéaire de lacellule. La formule précédente peut s'écrire aussi V co = R 0 I ph, en posant 𝑅 0 = 𝐾𝑇 1 𝐼𝑠: R 0 est la résistance interne de la diode en polarisation externe nulle (circuit ouvert) et sous faible flux lumineux. Régime des flux lumineux suffisamment intenses pour que I ph >> I S, soit 𝐼 𝑝ℎ 𝐼𝑠 ≫ 1, d'où: 𝑞 𝐿𝑜𝑔 𝐼 𝑝ℎ 17 Figure I. 8: différents régimes selon la puissance d'éclairement. I. 3. Facteur de forme, FF La puissance fournie au circuit extérieur par une cellule photovoltaïque sous éclairement dépend de la résistance de charge (résistance externe placée aux bornes de la cellule). Cellule Photovoltaïque – Sciences de l'Ingénieur. Cette puissance est maximale (notée P max) pour un point de fonctionnement PM (I M, V M) de la courbe courant-tension (courant compris entre 0 et I sc et tension comprise entre 0 etV oc) (Figure I.
L'écart par rapport au cas idéal provient des résistances aux contacts, de la faible mobilité des porteurs de charges au sein du semi-conducteur, ou encore aux courants de fuite dans la cellule. I. 4. Le rendement, η Le rendement, η des cellules PV désigne le rendement de conversion en puissance. Schéma équivalent cellule photovoltaique d. Il est défini comme étant le rapport entre la puissance maximale délivrée par la cellule et la puissance lumineuse incidente, P in Vco I ph Régime linéaire 18 𝜂 = 𝑃 𝑚𝑎𝑥 𝑃 𝑖𝑛 = 𝐹𝐹 × 𝐼 𝑠𝑐 × 𝑉 𝑜𝑐 𝑃 𝑖𝑛 Ce rendement peut être amélioré en augmentant le facteur de forme, le courant de court-circuit et la tension à circuit ouvert. Le rendement de conversion est un paramètre essentiel. En effet, la seule connaissance de sa valeur permet d'évaluer les performances de la cellule. I. Paramètre de diode La cellule solaire est une diode ayant une surface large, polarisée par un photocourant I ph issu des photons incidents (éclairement de la cellule). La relation entre le courant et la tension de polarisation dans les diodes à jonction p-n, est donné par l'équation (I.