Schéma Équivalent Cellule Photovoltaique – 235 Rue De Charenton Paris
L'écart par rapport au cas idéal provient des résistances aux contacts, de la faible mobilité des porteurs de charges au sein du semi-conducteur, ou encore aux courants de fuite dans la cellule. I. 4. Le rendement, η Le rendement, η des cellules PV désigne le rendement de conversion en puissance. Il est défini comme étant le rapport entre la puissance maximale délivrée par la cellule et la puissance lumineuse incidente, P in Vco I ph Régime linéaire 18 𝜂 = 𝑃 𝑚𝑎𝑥 𝑃 𝑖𝑛 = 𝐹𝐹 × 𝐼 𝑠𝑐 × 𝑉 𝑜𝑐 𝑃 𝑖𝑛 Ce rendement peut être amélioré en augmentant le facteur de forme, le courant de court-circuit et la tension à circuit ouvert. Le rendement de conversion est un paramètre essentiel. En effet, la seule connaissance de sa valeur permet d'évaluer les performances de la cellule. I. Paramètre de diode La cellule solaire est une diode ayant une surface large, polarisée par un photocourant I ph issu des photons incidents (éclairement de la cellule). Schéma équivalent cellule photovoltaique les. La relation entre le courant et la tension de polarisation dans les diodes à jonction p-n, est donné par l'équation (I.
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L'équation du courant devient: I 01: courant de saturation de la diode D1, I 02: courant de saturation de la diode D2, q: charge élémentaire, k: constante de Boltzmann, T: température, n 1 et n 2: coefficients d'idéalité des diodes D1 et D2. Pour une cellule photovoltaïque idéale, l'équation (II-13) peut être réécrite plus ph i s I kT n I qV V I exp 1 (II-13) La mesure de la caractéristique courant – tension (I-V) à l'obscurité est également utile pour analyser le fonctionnement d'une cellule solaire, cette caractéristique à l'obscurité est identique à celle d'une diode. La caractéristique (I-V) d'une cellule solaire sous éclairement ou à l'obscurité est présentée dans la figure II-9. Figure II-9: Caractéristique (I-V) d'une cellule solaire [33] Les grandeurs caractéristiques de la cellule peuvent être extraites depuis ce graphe: * Le courant de court circuit I sc. * La tension de circuit ouvert V oc. Caractérisation physique des cellules photovoltaïques :. * Le courant I max et la tension V max tels que le produit des deux soit maximal déterminant ainsi la puissance maximale ou utile fournie par la cellule (figures II-9, II-10).
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C'est la raison pour laquelle le rendement réalisé pour les premières cellules solaires était seulement de l'ordre de 10%. Ce problème a été résolu partiellement grâce à la croissance d'une couche de Al x Ga 1-x As sur la surface du GaAs. Les deux matériaux ayant des paramètres cristallins voisins, peu de défauts et de centres de recombinaison pouvant exister à l'interface entre les deux semi-conducteurs. C'est ainsi que le rendement des cellules au GaAs a dépassé la première fois 20% [45]. Schéma équivalent cellule photovoltaïque nord. La cellule supérieure étant une hétérostructure Al x Ga 1-x As/GaAs. L'état graduel de la bande interdite de la couche AlGaAs résulte en un champ interne qui réduit les pertes par recombinaison à la surface et en volume [46]. Il a été découvert que l'interface AlGaAs/GaAs est caractérisée par une faible densité de défauts étendus en raison des mêmes paramètres de réseau à la température de croissance des couches épitaxiales. Celle-ci a fournie dans les cellules solaires basées sur des structures AlGaAs/GaAs une faible vitesse de recombinaison surfacique (S) et deux côtés porteurs de collecte avec un rendement élevé η = 25-27%.
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Figure II-13: Caractéristique I-V mesurée pour une cellule solaire AlGaAs / GaAs[47] II. 4 Conclusion: Dans ce chapitre, nous avons présenté les principaux concepts et relations liés à l'étude des caractéristiques électriques des cellules solaires. Cellule Photovoltaïque – Sciences de l'Ingénieur. A la fin nous avons concentré sur la spécificité des cellules solaires à hétérojonction AlGaAs/GaAs par rapport aux cellules solaires conventionnelles (homojonctions); notamment dans le rendement de conversion élevé, la faible dégradation face aux irradiations spatiales et la réduction des recombinaisons au niveau de l'interface AlGaAs/GaAs. III. 1 Introduction: Dans ce travail nous allons étudier les caractéristiques électriques de la cellule solaire à hétérojonction (AlGaAs / GaAs) de structure p+pn et n+np où la couche (AlGaAs) fortement dopée est utilisée comme une couche fenêtre, suivie des couches émetteur et base en (GaAs). Nous considérons les deux cas où la structure est avec un substrat épais en (GaAs) et sans substrat. L'étude est réalisée par l'application du logiciel de simulation numérique sophistiqué SILVACO-ATLAS.
6) Deux régimes peuvent être observés suivant le degré d'éclairement (Figure I. 7). Régime des faibles flux lumineux: dans ce cas, I ph << I s, ce qui permet d'écrire: 𝐿𝑜𝑔 [1 + 𝐼 𝑝ℎ 𝐼 𝑠] ≃ 𝐼 𝑝ℎ 𝐼 𝑠, d'où 𝑉 𝑐𝑜 ≃ 𝐾𝑇 𝑞 𝐼𝑝ℎ 𝐼 𝑠: c'est la zone de comportement linéaire de lacellule. La formule précédente peut s'écrire aussi V co = R 0 I ph, en posant 𝑅 0 = 𝐾𝑇 1 𝐼𝑠: R 0 est la résistance interne de la diode en polarisation externe nulle (circuit ouvert) et sous faible flux lumineux. Schéma électrique équivalent d'une cellule photovoltaique - bois-eco-concept.fr. Régime des flux lumineux suffisamment intenses pour que I ph >> I S, soit 𝐼 𝑝ℎ 𝐼𝑠 ≫ 1, d'où: 𝑞 𝐿𝑜𝑔 𝐼 𝑝ℎ 17 Figure I. 8: différents régimes selon la puissance d'éclairement. I. 3. Facteur de forme, FF La puissance fournie au circuit extérieur par une cellule photovoltaïque sous éclairement dépend de la résistance de charge (résistance externe placée aux bornes de la cellule). Cette puissance est maximale (notée P max) pour un point de fonctionnement PM (I M, V M) de la courbe courant-tension (courant compris entre 0 et I sc et tension comprise entre 0 etV oc) (Figure I.
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Origine du nom Conduit à la commune de Charenton. 235 rue de charenton paris la. Histoire de la rue Au XVIIIe siècle, cette voie était dénommée rue de la Planchette entre la place du Colonel Bourgoin et la rue Montgallet, et rue de la Vallée de Fécamp, entre la rue Montgallet et le boulevard Poniatowski. De 1800 à 1815, elle a porté le nom de rue de Marengo. La partie comprise entre les rues de Rambouillet et Erard a été englobé dans la place du Colonel Bourgoin en 1972. Précédemment partie de la route nationale n°5.