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En effet, la puissance totale Ptot donnée à une température de boitîer Tc (c comme "case" pour boîtier en anglais) de 25°, cela sous-entendrait que le boîtier du transistor reste à 25°C sans s'échauffer du moindre degré! Autrement dit, la résistance thermique du radiateur (en °C/Watt) et la résistance thermique du contact entre le boîtier le radiateur seraient nulles. Les transistors Mosfet n'ont pas ce problème de "second claquage" ( second breakdown). Puce du transistor Ci dessous, un transistor de puissance 2N3055 ouvert (le boîtier a été scié pour qu'on voie la puce du transistor: Puce du transistor de puissance 2N3055 Temps de commutation des transistors bipolaires Pour des applications en commutation, les temps de commutation sont cruciaux. Les transistors Darlington intégrés (TIP122, TIP142, BDW83, etc) doivent être utilisés avec prudence car ils sont bien plus lents que les transistors bipolaires simples. Temps de commutations du transistor MJE13007 Exemples de transistors bipolaires de puissance (amplification) Quelques transistors bipolaires de puissance sont souvent utilisés, par paires complémentaires NPN et PNP, pour l'amplification audio.

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Points de discussion sur le transistor NPN: Définition Diagramme Principe de fonctionnement du transistor NPN Applications du transistor NPN Avantages et inconvénients des transistors NPN Qu'est-ce qu'un transistor NPN? Le transistor à jonction BJT ou bipolaire a deux types principaux. NP-N est l'une des classifications de BJT. Il s'agit d'un appareil à trois bornes utilisé pour l'amplification et la commutation. Ce transistor se compose également de trois sections, elles sont Base B C- Collectionneur E- émetteur L'émetteur NPN est utilisé pour fournir des porteurs de charge au collecteur à travers la base. La zone Collector rassemble les porteurs de charge de la région émettrice. La base du transistor fait le travail de déclenchement et fonctionne comme contrôleur pour limiter la quantité de courant qui sera autorisée à traverser cette région. Remarque: Contrairement à un MOSFET où une seule porteuse est présente, le BJT a deux types de porteuses de charge - majoritaire et minoritaire.

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On néglige la dissipation de la jonction base-émetteur. Le transistor peut être en mode linéaire (amplification par exemple) ou en tout ou rien (commutation). Attention, une restriction intervient à partir d'une certaine tension Vce: c'est la zone de "second claquage" ( second breakdown en anglais). Zone de second claquage ("second breakdown") d'un transistor bipolaire de puissance Physiquement, lorsque la tension Vce est élevée, la répartition du courant n'est plus homogène. Des points chauds apparaissent sur la puce, ce qui limite sa performance. On voit sur la courbe ci dessus qu'un transistor qui peut dissiper 150 W jusqu'à 60 V ne pourra plus dissiper que 9, 2 W à 230 V. Cette zone de second claquage est particulièrement critique dans les applications linéaires comme l'amplification (amplis audio de puissance) où les transistors de puissance peuvent être maltraités de cette façon: une tension importante à leurs bornes et du courant à fournir dans les haut-parleurs. En pratique, il est impossible pour le transistor de dissiper toute la puissance "Ptot" donnée par le fabricant.

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