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Détails du produit PC - Projecteur 400W IIC sodium 220 V Raccordement sur boite 'e' pour cable 6mm2 maxi Pc Projecteurs IIC antidéflagrants. Iodure métallique, Sodium haute pression, Halogène. Luminaire conçu pour l'éclairage des grandes surfaces industrielles à risque aussi bien intérieures, qu'extérieures. Projecteur 400w sodium chloride. Convient particulièrement pour les zones 1, 2, 21 et 22 dans l'industrie pétrochimique et gazière; en particulier les raffineries, les pipelines, les entrepôts, les plateformes offshore et les installations de forage.
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Il y a 10 produits. Affichage 1-10 de 10 article(s) CONDENSATEURS - LCI, VENTURE ● Condensateurs pour une utilisation en conjonction avec un ballast magnétique pour fournir une correction du facteur de puissance dans le circuit.
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Matériel et caractéristiques: — Boîtier en aluminium moulé sous haute pression, pulvérisation de poudre externe électrostatique. — Gadget en silicone résistant à la chaleur. — Verre de sécurité trempé. — Réflecteur en aluminium haute pureté asymétrique. Description: lumière d'inondation 150-400W Applications: autoroute, route, cour, terrain de jeu, pont, route de ville, rue et boulevard urbains, trottoirs, espaces publics, écoles, quartiers résidentiels, parcs industriels, etc. Spécifications: N ° de modèle: TG1028 Lampe: MH / SON 150-400w Tension: 220-240v Fréquence: 50 / 60Hz Pied de lampe: E40 Emballage: 45 * 42. 5 * 15CM / 1PCS GW / NW: 4. 2 / 3. Projecteur sodium 400w. 7KG
L'amplification peut varier en fonction des valeurs de résistance des résistances électriques utilisées dans le circuit. Dans un circuit d'amplification de classe A, l'amplification est obtenue en appliquant un signal alternatif à la connexion de base d'un transistor. Le signal amplifié est obtenu en établissant une connexion électrique au niveau de la connexion du collecteur. Sortie de distorsion lors de l'utilisation d'un circuit amplificateur Un transistor NPN peut être utilisé pour amplifier un signal alternatif. Toutefois, si un signal est amplifié au-delà des limites de puissance du transistor, le transistor "coupe" la sortie à la limite de la puissance nominale, ce qui provoque la distorsion du signal. Une suramplification continue du signal d'entrée entraînera une défaillance prématurée du transistor NPN. Caractéristiques d'entrée et de sortie d'un transistor NPN dans un disjoncteur Les composants actifs, tels que les transistors, nécessitent une tension minimale permettant au courant électrique de circuler dans la jonction PN.
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Les transistors bipolaires de puissance sont beaucoup utilisés en amplification et en commutation. La dissipation de chaleur est un élément crucial à considérer pour éviter une surchauffe, mais de nombreux autres phénomènes peuvent aussi se produire et entraîner la destruction du transistor de puissance. Les transistors bipolaires de puissance s'utilisent principalement pour de l'amplification et la commutation. Les tensions en jeu vont de quelques dizaines de Volts à quelques centaines de Volts alors que les courants mis en jeu sont de plusieurs Ampères. Les transistors de puissance sont plutôt de type NPN, même s'il existe une large gamme de tranistors PNP aussi, complémentaires des transistors NPN. Défauts des transistors bipolaires de puissance Les principaux défauts des transistors bipolaires de puissance sont: - tension Vce résiduelle en mode passant (malheureusement pas 0 Volt, donc échauffement et pertes lors du passage du courant) - pertes de commutation. Entre le moment où le transistor de puissance est coupé (off) et le moment où il est passant (saturé), il existe une petite durée où il bascule d'un état à l'autre.
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Durant cette phase, il chauffe - zone de second claquage. Lorsque la tension collecteur émetteur est élevée, la dissipation maximale du transistor est réduite. - courant de base nécessaire pour piloter le transistor bipolaire Pour utiliser un transistor bipolaire de puissance, il faut un courant de base, contrairement au transistors Mosfet. Choix du transistor bipolaire de puissance Certains transistors sont rapides et ont un gain plus faible: ils sont adaptés à la commutation (switching applications) et d'autres sont plus adaptés aux applications linéaires (alimentations linéaires, amplis audio). Ceux-ci sont proposés par paire NPN/PNP complémentaire. Plusieurs éléments sont à prendre en compte: Transistor bipolaire: courant collecteur maximal Le courant collecteur Ic maximal est une donnée du constructeur. Elle est due à la fabrication du transistor (jonction par fil de bonding entre la patte et la puce du transistor elle-même) mais aussi au courant de base Ib maximum. Plus le courant collecteur qu'on souhaite est élevé et plus le gain (rapport Ic/Ib) devient petit.
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Le tout étant commandé par un microcontrôleur, j'ajoute un NPN (type BC547) pour piloter la base du transistor de puissance. J'obtiens donc ce schéma (la résistance R au collecteur du 1er transistor est reliée +5V): Capture d'écran 2012-08-04 à Vbe(BD241) = 1. 8V Vce(BC547) = 0. 6V Ur = 5 - 0. 6 - 1. 8 = 2. 6V Donc R = Ur/Ir = 2. 6 / 0. 143 = 18Ohms (avec une puissance de 18 x 0. 143^2 = 0. 37W, soit une résistance 1/2W) Ainsi normalement, quelle que soit la charge, je devrais retrouver un courant de 2A maximum à travers elle (en théorie). La charge étant de type résistive, il en résultera une certaine tension Vce au niveau du transistor de puissance (U - Rcharge * 2A) Avant tout test, je souhaiterais votre avis quant au fonctionnement de ce circuit, car je connais très peu la réaction des transistors en mode "non-saturés". Merci beaucoup! Thomas ----- Dernière modification par thomasalbert1993; 04/08/2012 à 13h14. Aujourd'hui 04/08/2012, 13h18 #2 Re: Transistor de puissance avec limitation de courant Sans voir tes pièces jointes...
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Si vous n'obtenez jamais deux fois le même chiffre élevé pour la résistance en touchant successivement les deux électrodes libres, après avoir connecté la sonde noire sur chaque électrode, c'est que vous avez un transistor PNP ou un transistor NPN qui est défectueux. 3 Déconnectez la sonde noire et connectez la sonde rouge à l'une des électrodes. 4 Touchez avec la sonde noire les deux autres électrodes, l'une après l'autre. Si vous lisez un même nombre élevé pour la résistance lorsque vous touchez chacune des deux électrodes, vous avez trouvé la base d'un transistor PNP qui fonctionne bien. Si vous lisez deux nombres différents pour les deux électrodes, connectez la sonde rouge sur une autre électrode et recommencez le test. Si vous n'obtenez jamais deux fois le même chiffre élevé pour la résistance en touchant successivement les deux électrodes libres, après avoir connecté la sonde rouge sur chaque électrode, c'est que vous avez un transistor PNP défectueux. Conseils Vous pouvez aussi tester un transistor dans un circuit en utilisant une source de courant de 6 volts et deux petites ampoules électriques, ou bien en connectant un multimètre à l'émetteur et au collecteur avant de créer un court-circuit entre le collecteur et la base.
Configuration des broches du transistor 2n3904 Fig 2: Un ensemble de transistors de puissance Le transistor comprend principalement trois broches. Caractéristiques principales du transistor 2n3904 Fig 3: Deux transistors de puissance Il appartient à la classe des transistors NPN bipolaires. Fiche technique du transistor 2n3904-Il présente également un gain de courant continu (hFE) maximal de 300. Il est présenté dans un boîtier To-92 et a une tension collecteur-base de 60V. Son courant de collecteur continu est de 200mA, et la tension collecteur-émetteur typique est de 40V. Il a un courant de polarisation maximum de 5mA et une tension base-émetteur ultime de 6V. Le transistor s'éteint lors de la suppression du courant de base. Aussi, la tension typique de l'émetteur de base dans la région de coupure est d'environ 600 mV. Notez également qu'il est possible de mesurer la tension collecteur-émetteur et les tensions collecteur-base au point de saturation du transistor. L'utilisation du transistor 2n3904 Fiche technique du transistor 2n3904-2N3904 comme interrupteur Fig 4: Illustration du concept d'interrupteur électrique Faire fonctionner ce Transistor pour la commutation implique de l'utiliser dans les régions de saturation et de coupure.