Cellule Photovoltaïque – Sciences De L'Ingénieur, Tablier Enfant Personnalisé
Pour tenir en compte les limitations de la cellule et de même calculer le courant réellement délivré sur la charge du circuit extérieur, on introduit un modèle comprenant une résistance série et une résistance parallèle [42]. Ce modèle est représenté par le schéma électrique suivant (Figure II-8): Figure II-8: Schéma équivalent d'une cellule photovoltaïque [33]. Les différents paramètres de ce modèle sont [37]: a. Le générateur de courant: il délivre le courant I ph correspondant au courant photogénéré. b. La résistance série R s: elle prend en compte la résistivité propre aux contacts entre les différentes régions constitutives de la cellule, et doit être la plus faible que possible pour limiter son influence sur le courant de la cellule. c. La résistance parallèle R p: connue sous le nom de court circuit, elle peut être due à un court circuit sur les bords de la cellule. La résistance shunt. On l'appelle aussi résistance de fuite. d. La diode: modélise la diffusion des porteurs dans la base de l'émetteur.
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Figure 5: Influence des résistances série et shunt sur la caractéristique courant-tension d'une cellule photovoltaïque 2. 2. La caractéristique courant-tension d'une cellule photovoltaïque Figure 6: Caractéristique courant-tension d'une cellule photovoltaïque La courbe caractéristique d'une cellule PV représente la variation du courant qu'elle produit en fonction de la tension aux bornes de la cellule. Cette courbe est établie dans des conditions ambiantes de fonctionnement données. En effet, le fonctionnement des cellules photovoltaïques dépend des conditions d'ensoleillement et de température à la surface de la cellule. Ainsi, chaque courbe courant-tension correspond à des conditions spécifiques de fonctionnement. Si par exemple la température de la surface évolue, la courbe n'est plus la même. 2. 3. Grandeurs caractéristiques a. Tension de circuit ouvert V CO (pour I CO = 0) On l'obtient en branchant directement un voltmètre aux bornes de la cellule. Schéma équivalent cellule photovoltaique au. b. Courant de court-circuit I CC (pour V CC = 0): tension nulle correspondant au courant maximum obtient sa valeur en branchant un ampèremètre aux bornes de la cellule.
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L'équation du courant devient: I 01: courant de saturation de la diode D1, I 02: courant de saturation de la diode D2, q: charge élémentaire, k: constante de Boltzmann, T: température, n 1 et n 2: coefficients d'idéalité des diodes D1 et D2. Pour une cellule photovoltaïque idéale, l'équation (II-13) peut être réécrite plus ph i s I kT n I qV V I exp 1 (II-13) La mesure de la caractéristique courant – tension (I-V) à l'obscurité est également utile pour analyser le fonctionnement d'une cellule solaire, cette caractéristique à l'obscurité est identique à celle d'une diode. La caractéristique (I-V) d'une cellule solaire sous éclairement ou à l'obscurité est présentée dans la figure II-9. Figure II-9: Caractéristique (I-V) d'une cellule solaire [33] Les grandeurs caractéristiques de la cellule peuvent être extraites depuis ce graphe: * Le courant de court circuit I sc. Schéma équivalent cellule photovoltaique pour. * La tension de circuit ouvert V oc. * Le courant I max et la tension V max tels que le produit des deux soit maximal déterminant ainsi la puissance maximale ou utile fournie par la cellule (figures II-9, II-10).
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C'est la raison pour laquelle le rendement réalisé pour les premières cellules solaires était seulement de l'ordre de 10%. Ce problème a été résolu partiellement grâce à la croissance d'une couche de Al x Ga 1-x As sur la surface du GaAs. Les deux matériaux ayant des paramètres cristallins voisins, peu de défauts et de centres de recombinaison pouvant exister à l'interface entre les deux semi-conducteurs. C'est ainsi que le rendement des cellules au GaAs a dépassé la première fois 20% [45]. Schéma équivalent cellule photovoltaïque nord. La cellule supérieure étant une hétérostructure Al x Ga 1-x As/GaAs. L'état graduel de la bande interdite de la couche AlGaAs résulte en un champ interne qui réduit les pertes par recombinaison à la surface et en volume [46]. Il a été découvert que l'interface AlGaAs/GaAs est caractérisée par une faible densité de défauts étendus en raison des mêmes paramètres de réseau à la température de croissance des couches épitaxiales. Celle-ci a fournie dans les cellules solaires basées sur des structures AlGaAs/GaAs une faible vitesse de recombinaison surfacique (S) et deux côtés porteurs de collecte avec un rendement élevé η = 25-27%.
Le logiciel SILVACO comprend une gamme large d'étude intégrale dans l'élaboration et la caractérisation des cellules solaires. Nous, nous allons appliquer la partie SILVACO-ATLAS pour générer les résultats des caractéristiques électriques de la cellule solaire à l'obscurité et sous l'éclairement AM 0 du fait que les cellules en (GaAs) sont généralement destinées aux applications spatiales. Dans ce chapitre nous présentons une description relativement détaillée sur SILVACO- ATLAS.
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